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        行業應用加速 2022-08-03 17:04 科德投資
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        • 佩洛西竄訪臺灣,我國東部戰區將在臺島周邊開展一系列聯合軍事行動。資本市場對大國博弈的解讀難免會有分歧,故周三的大盤仍出現反復的走勢。但我們也看到,在此背景下,近期主力資金聚焦在軍工、半導體、軟件等科技領域,不少個股逆勢走強,這也印證了我們之前的觀點,震蕩行情中,成長明確的賽道更得人心。今天我跟大家分享一個半導體細分領域——氮化鎵(GaN)。


          看好理由:


          1、應用加速。氮化鎵率先被用于手機快充適配器端(快充領域最為成熟),后來逐漸進入手機主板端,業內人士表示,未來氮化鎵功率器件還將滲透到新能源車領域,應用于OBC(車載充電器)、主驅逆變器、充電樁等?,F階段,已有氮化鎵廠商開始與新能源車相關企業進行合作,這將有望加速推動車規級氮化鎵功率器件的研發與可靠性驗證進程。


          2、政策支持與市場空間。2021年氮化鎵被作為重點項目納入國家“十四五”規劃,是國家重點去發展和攻破的對象。在市場前景方面,氮化鎵在光電子、激光器、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。參考Market and Market 、Yole等機構的增長幅度,前瞻產業研究院預測,到2026年全球氮化鎵元件市場規模將增長到423億美元,年均復合增長率約為13.5%。



          行業細分


          據介紹,氮化鎵是一種無機物,化學式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體。GaN的禁帶寬度、電子飽和遷移速度、擊穿場強和工作溫度遠遠大于 Si 和 GaAs,具有作為電力電子器件和射頻器件的先天優勢。目前第三代半導體材料以 SiC 和 GaN 為主。兩者對比之下,GaN 材料的優勢主要是成本低,易于大規模產業化。


          GaN產業鏈包括襯底、外延、芯片設計、制造、封測、下游應用等多個環節。



          優質龍頭



          想了解更多的詳細個股信息,請您移步《科德內參》!   



          甘健老師,證書編號:A0560610120012免責聲明:該策略僅作為投資參考,據此操作風險自行承擔。投資有風險,入市需謹慎!




          風險提示:本公司承諾提供專業咨詢服務,但不承諾投資者獲取投資收益,也不與投資者約定分享投資收益或分擔投資損失。市場有風險,投資需謹慎。
        行業調研
        行業應用加速
        2022-08-03 17:04

        佩洛西竄訪臺灣,我國東部戰區將在臺島周邊開展一系列聯合軍事行動。資本市場對大國博弈的解讀難免會有分歧,故周三的大盤仍出現反復的走勢。但我們也看到,在此背景下,近期主力資金聚焦在軍工、半導體、軟件等科技領域,不少個股逆勢走強,這也印證了我們之前的觀點,震蕩行情中,成長明確的賽道更得人心。今天我跟大家分享一個半導體細分領域——氮化鎵(GaN)。


        看好理由:


        1、應用加速。氮化鎵率先被用于手機快充適配器端(快充領域最為成熟),后來逐漸進入手機主板端,業內人士表示,未來氮化鎵功率器件還將滲透到新能源車領域,應用于OBC(車載充電器)、主驅逆變器、充電樁等?,F階段,已有氮化鎵廠商開始與新能源車相關企業進行合作,這將有望加速推動車規級氮化鎵功率器件的研發與可靠性驗證進程。


        2、政策支持與市場空間。2021年氮化鎵被作為重點項目納入國家“十四五”規劃,是國家重點去發展和攻破的對象。在市場前景方面,氮化鎵在光電子、激光器、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。參考Market and Market 、Yole等機構的增長幅度,前瞻產業研究院預測,到2026年全球氮化鎵元件市場規模將增長到423億美元,年均復合增長率約為13.5%。



        行業細分


        據介紹,氮化鎵是一種無機物,化學式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體。GaN的禁帶寬度、電子飽和遷移速度、擊穿場強和工作溫度遠遠大于 Si 和 GaAs,具有作為電力電子器件和射頻器件的先天優勢。目前第三代半導體材料以 SiC 和 GaN 為主。兩者對比之下,GaN 材料的優勢主要是成本低,易于大規模產業化。


        GaN產業鏈包括襯底、外延、芯片設計、制造、封測、下游應用等多個環節。



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        嗯别摸那里要尿了

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